本发明公开一种SiC单晶片抛光方法，采用含有还原剂、氧化剂、催化剂等化学物质的抛光垫，在抛光压力的作用下，SiC单晶片与抛光垫表面的凸峰相接触，产生摩擦及摩擦热，还原剂释放出氧气，在催化剂及摩擦热等的作用下，氧气与SiC单晶片表面发生氧化反应，在表面生成一层SiO2层，然后由具有自退让功能的磨粒去除；此过程交替进行，实现SiC单晶片表面全局被平坦化。由于采用具有自退让功能的磨粒，磨粒能够随抛光压力的变化而上下退让，当磨粒尺寸不一致或磨粒的凸刃高度不同时，通过磨粒的自退让性，使得加工中磨粒的凸刃高度随压力的变化而变化，控制加工中每个磨粒的切深。抛光后SiC单晶片表面质量高，成本低，废物排放低。

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