本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种N,Cu‑CDs/m‑WO3介孔复合材料及其制备方法和应用。该N,Cu‑CDs/m‑WO3介孔复合材料包括三氧化钨，所述三氧化钨属于单斜晶系，晶胞参数为a＝0.7297nm，b＝0.7539nm，c＝0.7688nm，β＝90.918；所述三氧化钨具有介孔结构；所述三氧化钨的介孔孔道内复合有氮铜共掺杂碳点。本发明的N,Cu‑CDs/m‑WO3介孔复合材料，是利用特定结构的介孔三氧化钨和氮铜共掺杂碳点组成异质结复合光催化剂，能显著拓展其光谱响应范围，降低了电子‑空穴复合率，实现高效电子转移，增强催化剂的光催化活性和稳定性。

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